STマイクロエレクトロニクス 先進的なパッケージ技術とプロセスを使用し,モータ駆動効率を高める250AのパワーMOSFETを発表 引用元：エリスネット(プレス・リリース）

http://www.elisnet.or.jp/news/news_detail.cfm?select_news_id=15645

先進的なパッケージ技術とプロセスを使用し,モータ駆動効率を高める250AのパワーMOSFETを発表
STマイクロエレクトロニクスは,市場最小のオン抵抗を搭載することで,エネルギー変換損失を最小化し,より高い性能を実現する250Aの表面実装型パワーMOSFETを発表した。
新デバイスの「STV250N55F3」は,ダイ･フリーでのパッケージ抵抗を極めて低く抑えるために,同社のPowerSO-10パッケージとリボン･ボンディングを組み合わせた初のパワーMOSFET。大容量STripFET IIIのプロセスで製造されるこのデバイスのオン抵抗は,通常1.5ミリオーム。さらに,STripFET IIIには,低スイッチング損失や堅牢なアバランシェ特性などの利点もある。9ピン･ソース接続も,放熱を促すと共にオン抵抗を減少させる。全体のパッケージ定格は,25℃の動作温度において300Wの損失。この大電流定格により,複数の並列MOSFETの設計が可能になり,実装面積と部材コストを低減する。標準的なゲート電圧も駆動回路の設計を簡素化する。「STV250N55F3」の定格は,55V以下のアプリケーション向け。
「STV250N55F3」は,最高175℃で動作できるため,大電流の電動車両アプリケーションや,芝刈り機,車椅子,および電動アシスト自転車での使用に最適。信頼性と堅牢性は,ウェハ･レベルと最終製品の両方で100%アバランシェ試験を行うことによって保証されている。将来的には,オートモーティブ･グレードのアプリケーションにも対応する予定。
同ファミリには,4ピン･ソース接続を実装し,200Aの連続ドレイン電流向けの定格を持つ55Vの「STV200N55F3」もある。
現在,「STV250N55F3」はサンプル出荷中で,量産は2008年の第3四半期を予定。約1万個購入時の単価は,約2.50ドル。


HP ： http://www.st-japan.co.jp/index.html
発表資料 ：

型名 サンプル出荷日 サンプル価格 量産開始日 量産価格
STV250N55F3 出荷中 2.50ドル（1万個購入時単価） 2008年第3四半期予定
STV200N55F3



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